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Samsung va produire en masse des mémoires internes 256 Go pour smartphones

Actualités 25.02.2016 à 10h55

SEOUL, 25 fév. (Yonhap) -- Le géant Samsung Electronics Co. démarrera sa production en masse de mémoires internes 256 Go UFS (Universal Flash Storage), neuf fois plus rapides que les cartes microSD et deux fois plus rapides que les SSD, et il s’agira d’une première mondiale, selon l’annonce ce jeudi de l’entreprise.

D’après Samsung, la mémoire 256 Go est la seule du secteur satisfaisant les spécifications ultrarapide, ultracapacité et ultrapetit. Les technologies de pointe des mémoires V-Nand Flash et le contrôleur à haute performance sont également appliqués dans cette mémoire.

De plus, une vitesse de lecture en continu de 850 Mo/s a été atteinte tandis que la rapidité d’écriture en continu se situe à 260 Mo/s, ce qui est trois fois supérieur aux cartes microSD. La vitesse de lecture/écriture spontanée, qui affecte le plus la rapidité du système, est de 45.000/40.000 IOPS (opération d’entrée-sortie par seconde), ce qui est deux fois plus rapide que les précédents (19.000/14.000 IPOS).

Cette mémoire garantira également le téléchargement d’un film Full HD de 5 Go en seulement 11 secondes sur un smartphone de nouvelle génération fonctionnant sous l’interface USB 3.0 grâce à une vitesse de transmission des données de l’extérieur 10 fois plus élevée. La capacité de 256 Go permet de sauvegarder 47 films de 5 Go.

Choi Joo-seon, PDG adjoint chargé du marketing de la division Mémoires, a noté que «le paradigme de croissance du marché des mémoires basculera du volume de stockage vers la performance».

jhoh@yna.co.kr

(FIN)

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