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Samsung lance la production de masse de puces DRAM 10 nano de 2e génération

Actualités 26.07.2018 à 15h21

SEOUL, 26 juil. (Yonhap) -- Samsung Electronics Co. a annoncé ce jeudi avoir lancé la production en masse de puces LPDDR4X DRAM 16 Go gravées en 10 nanomètres de deuxième génération, qui offriront des solutions plus fines et plus économes en énergie pour des appareils mobiles.

Le géant sud-coréen des technologies a indiqué qu’une avancée importante a été réalisée huit mois après qu’il a lancé la production de masse de puces DRAM DDR4 8 Go en 10 nm.

Suite à cette dernière avancée, Samsung Electronics prévoit d’appliquer la technologie de traitement en 10 nm de deuxième génération à des puces DRAM, qui représenteront 70% de la gamme DRAM, a expliqué la société.

Le fabricant sud-coréen a commencé la production complète de puces DRAM sur des chaînes de production à Pyeongtaek, au sud de Séoul, ce mois-ci, ce qui a permis à Samsung de fournir à ses clients des produits de manière plus stable.

Les LPDDR4X DRAM 16 Go en 10 nm de deuxième génération sont deux fois plus rapides que les LPDDR3 DRAM 4 Go en 20 nm, dont la production a commencé en avril 2013.

Samsung a ajouté que le nouveau produit est comparable aux LPDDR4X DRAM 16 Go en 10 nm de la première génération, qui ont équipé des smartphones récents, comme ils maintiennent la même rapidité en consommant 10% moins d’énergie.

Le kit DRAM 8 Go, composé de quatre puces 16 Gb, est capable de transmettre des données à 34,1 Go par seconde. Les appareils mobiles pourraient devenir plus fins grâce au dernier produit.

Samsung prévoit de continuer à diversifier sa gamme de kits premium DRAM de 4 Go à 8 Go afin de répondre à la demande pour des solutions plus rapides et plus grandes et plus économes en énergie.

La société a dit vouloir chercher à fournir divers produits de différentes capacités basés sur des puces LPDDR4X DRAM 16 Go.

La puce LPDDR4X DRAM 16 Go gravée en 10 nanomètres de deuxième génération. ⓒ Samsung Electronics Co.

kimsy@yna.co.kr

(FIN)

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