Samsung développe une technologie de processus en 8 nm pour puces radiofréquence

L'usine de fonderie de Samsung Electronics Co. à Hwaseong, le mercredi 9 juin 2021. (Photo fournie par Samsung Electronics Co. Revente et archivage interdits)
SEOUL, 09 juin (Yonhap) -- Samsung Electronics Co. a déclaré ce mercredi avoir développé une technologie de processus en 8 nanomètres (nm) pour puces radiofréquence (RF) alors que le géant des technologies cherche à intensifier son activité de fonderie pour semi-conducteurs mobiles 5G.
Samsung a indiqué que la fonderie 8nm était une technologie soutenant du sous-6 GHz à une onde millimétrique à haute fréquence du spectre d'ondes millimétriques des mobiles 5G.
Samsung a indiqué que le processus en 8 nm améliorerait l'efficacité énergétique de 35% et réduirait également la surface de la puce de 35% par rapport au processus en 14 nm.
Pour diminuer la consommation électrique et avoir plus d'efficacité d'amplification des signaux, Samsung a dit avoir développé le dispositif de semi-conducteur RF extreme FET qui booste les mouvements des électrons.
Une telle solution peut réduire le nombre de transistors et la consommation électrique, en diminuant la surface du circuit analogique, selon la société.
Samsung a lancé son service de fonderie RF en 2015 avec un processus en 28 nm et l'a étendu au processus en 14 nm en 2017. Il a fabriqué plus de 500 millions de puces RF mobiles depuis 2017.
Samsung, le plus grand producteur de puces mémoire au monde, souhaite voir la dernière technologie renforcer sa présence sur ce marché.
Selon le cabinet d'études de marché TrendForce, Samsung a occupé une part de 17% sur le marché mondial de la fonderie en termes de chiffre d'affaires au premier trimestre, loin derrière le leader de l'industrie, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. contrôlant une part de marché de 55%.
rainmaker0220@yna.co.kr
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