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SK hynix débute la production en série de DRAM 1anm avec la technologie EUV

Science/Tech 12.07.2021 à 14h07

SEOUL, 12 juil. (Yonhap) -- SK hynix Inc., le deuxième producteur mondial de puces mémoire, a annoncé ce lundi avoir lancé la production en série de DRAM avec la dernière technologie de traitement de 10 nanomètres (nm).

SK hynix a déclaré que sa DRAM mobile 8 Gigabit Lower Power Double Date Rate 4 (LPDDR4) est construite sur le nœud 1anm, en utilisant la technologie de lithographie ultraviolette extrême (EUV).

Le 1a est la quatrième génération de la solution de processus DRAM 10 nm après les 1x, 1y et 1z.

Le fabricant de puces sud-coréen a dévoilé son intention de fournir les derniers produits DRAM mobiles aux fabricants de smartphones à partir du second semestre 2021.

C'était la première fois que SK hynix utilisait l'équipement EUV pour la production de masse suite à son adoption partielle pour ses produits DRAM 1ynm.

La DRAM 1anm de SK hynix Inc. utilisant la technologie de lithographie ultraviolette extrême (EUV). (Photo fournie par SK hynix. Revente et archivage interdits)

SK hynix prévoit d'utiliser la technologie EUV pour toute sa production de DRAM 1anm, affirmant qu'elle a assuré la stabilité du processus.

L'entreprise s'attend à ce que le dernier nœud améliore sa productivité. SK hynix a estimé que la technologie 1anm donnerait une augmentation de 25% du nombre de puces DRAM produites à partir de la taille d'une plaquette par rapport au nœud 1znm précédent.

Le dernier produit DRAM prend en charge de manière stable 4.266 mégabits par seconde (Mbps), le taux de transfert le plus rapide dans une spécification DRAM mobile LPDDR4 standard, et a réduit la consommation d'énergie de 20%, selon la société.

SK hynix a fait savoir qu'il appliquerait également son nœud 1anm à ses produits DDR5, la première DRAM de nouvelle génération au monde lancée en octobre 2020, à partir de début 2022.

as26@yna.co.kr

(FIN)

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