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Samsung commence la production en série de DRAM 14 nm avec la technologie EUV

Actualités 12.10.2021 à 18h35

SEOUL, 12 oct. (Yonhap) -- Samsung Electronics Co., le plus grand fabricant mondial de puces mémoire, a annoncé ce mardi avoir commencé la production en série de la plus petite DRAM 14 nanomètres du secteur utilisant la lithographie par rayonnement ultraviolet extrême (EUV) dans le cadre des efforts visant à consolider son leadership dans l'industrie de la mémoire.

La société a déjà livré 1 million d'unités de modules DRAM DDR4 (Double Date Rate 4) de classe 10 nm (D1x) qui ont été produits avec la technologie en mars de l'année dernière pour la première fois dans l'industrie.

La technologie EUV réduit les étapes répétitives de la création de motifs multiples et améliore la précision de la création de motifs, ce qui se traduit par des performances supérieures et de meilleurs rendements ainsi qu'un temps de développement raccourci, a indiqué le géant sud-coréen de la technologie.

La production commencera avec la DDR5, a précisé la société, ajoutant qu'elle s'attend à ce que le dernier processus augmente le taux de productivité de 20% et réduise la consommation d'énergie de près de 20%.

La DDR5 est une norme DRAM de nouvelle génération qui offre une vitesse rapide et une densité élevée avec une consommation d'énergie réduite par rapport à la DDR4. Elle est optimisée pour une utilisation dans des applications gourmandes en données telles que les mégadonnées, l'intelligence artificielle et l'apprentissage automatique.

«Aujourd'hui, Samsung franchit une nouvelle étape technologique avec l'EUV multicouche qui a permis une miniaturisation extrême à 14 nm, un exploit impossible avec le procédé conventionnel au fluorure d'argon», a mis en avant Lee Joo-young, vice-président senior et responsable des produits et technologies DRAM chez Samsung Electronics, dans un communiqué.

«En nous appuyant sur cette avancée, nous continuerons à fournir les solutions de mémoire les plus différenciées en répondant pleinement au besoin de performances et de capacités accrues dans le monde axé sur les données de la 5G, de l'IA et du métaverse», a-t-il ajouté.

La DRAM de 14 nanomètres de Samsung Electronics. (Photo fournie par Samsung Electronics Co. Revente et archivage interdits)

as26@yna.co.kr

(FIN)

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