SK hynix annonce le développement d'une mémoire flash NAND à 238 couches

SEOUL, 03 août (Yonhap) -- SK hynix Inc. a annoncé ce mercredi avoir développé une mémoire flash NAND comptant le plus grand nombre de couches verticales de l'industrie pour une plus grande productivité et un transfert de données plus rapide.

Le deuxième fabricant de puces mémoire au monde a fait savoir que son flash NAND 4D à 238 couches comporterait le plus grand nombre de couches et serait le plus petit en taille, au cours du Flash Memory Summit 2022 qui se déroule du 2 au 4 août au Santa Clara Convention Center en Californie.

SK hynix devrait lancer la production de masse de sa puce présentant la plus grande capacité de stockage au premier semestre de l'année prochaine et en équiper les SSD (solid-state drive) pour PC dans un premier temps avant d'étendre leur application à des smartphones et d'autres dispositif plus tard. Une mémoire flash NAND est un type de mémoire non volatile qui stocke des données même en l'absence d'alimentation.

Contrairement aux solutions NAND 2D classiques dans lesquelles les cellules de mémoire sont placées horizontalement, les NAND 3D et 4D empilent les cellules de mémoire sur les couches verticales pour une meilleure performance et une plus grande capacité.

La société a noté que l'ensemble de la productivité du nouveau produit s'est amélioré de 34% par rapport au précédent NAND à 176 couches alors que «davantage de puces avec une densité plus élevée par zone peuvent être produites par chaque plaquette». Le transfert de données était 50% plus rapide, a-t-elle ajouté.

lsr@yna.co.kr

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